2021年5月30日 · 利用氢掺杂的非晶硅薄膜制作的太阳能电池薄膜存在一个致命的缺点——光致衰退效应。氢化非晶硅薄膜经较长时间的强光照射或电流通过时, 由于Si -H 键很弱(键能323), H 很容易失去, 形成大量的Si 悬挂键, 从而使薄膜的电学性能下降, 而且这种失H 行为还是一种
非晶硅电池（a-Si）是用沉积在 导电玻璃 或不锈钢衬底上的 非晶硅薄膜 制成的太阳能电池。 Carlson研制出最高早的非晶硅太阳能电池,揭开了非晶硅太阳能电池在光电子器件或PV 组件中应用的幄幕,但是当时的非晶硅转换效率很低,不到1%。
2024年4月24日 · 利用氢掺杂的非晶硅薄膜制作的太阳能电池薄膜存在一个致命的缺点——光致衰退效应。氢化非晶硅薄膜经较长时间的强光照射或电流通过时, 由于Si -H 键很弱(键能323), H 很容易失去, 形成大量的Si 悬挂键, 从而使薄膜的电学性能下降, 而且这种失H 行为还是一种
采用辉光放电气相沉积法就得含氢的非晶硅薄膜,氢在其中补偿 悬挂链,并进行 掺杂 和制作 pn结。 非晶硅在太阳辐射峰附近的光吸收系数比晶体硅大一个数量级。
2012年2月1日 · 非晶硅电池生产工艺简单且温度低、耗能小,其市场份额逐年提高。目前,一半以上薄膜太阳能电池公司采用非晶硅薄膜技术,预计几年内,非晶硅薄膜在未来薄膜太阳能电池中将占据主要份额。
非晶硅薄膜太阳能电池是一种以非晶硅化合物为基本组成的薄膜太阳能电池。 按照材料的不同,当前硅太阳能电池可分为三类：单晶硅太阳能电池、多晶硅薄膜太阳能电池和非晶硅薄膜太阳能电池三种。
2012年8月31日 · 砷化镓薄膜电池是在单晶硅基板上以化学气相沉积法生长GaAs薄膜所制成的薄膜太阳电池,其直接带隙1.424eV,具有30%以上的高转换效率,很早就被应用于人造卫星的太阳电池板。
2018年8月15日 · 三、非晶硅电池封装工艺薄膜非晶硅电池的封装方法多种多样,如何选择,是要根据其使用的区域,场合和具体要求而确定。 不同的封装方法,其封装材料、制造工艺是不同的,相应的制造成本和售价也不同。
采用roll to roll技术来制备大面积柔性衬底非晶硅太阳电池,有以下关键技术问题需要解决：非晶硅薄膜的高速沉积;大面积薄膜生长时的均匀性;各反应室间气体隔离装置的开发;实时监控与诊断等等。
2017年12月25日 · 非晶硅(a-Si)太阳电池是在玻璃(glass)衬底上沉积透明导电膜(TCO),然后依次用等离子体反应沉积p型、i型、n型三层a-Si,接着再蒸镀金属电极铝(Al).光从玻璃面入射,电池电流从透明导电膜和铝引出,其结构可表示为glass/TCO/pin/Al,还可以用不锈钢片、塑料等