2007年6月14日 · 针对高效单晶硅太阳能电池的研究,本文对转 换效率超过20 %高效单晶硅太阳电池的横向及纵 向结构进行了分析;在对提高太阳电池效率进行理
2015年8月4日 · 目前晶体硅太阳电池的厚度一般为200μm左右,这一厚度对于光电转换效率不是最高佳值。本文分别从少子扩散和入射光吸收两方面对晶体硅太阳
利用晶硅电池模拟软件PC1D研究晶硅衬底的厚度、少子寿命及掺杂浓度对电池输出特性的影响规律.结果表明：晶硅衬底的厚度对电池输出特性的影响与其少子的扩散长度有关,衬底
2024年8月18日 · 当衬底厚度跟其少子扩散长度相当时,随着衬底厚度的减薄,铝背场对提高太阳能电池输出特性的作用越来越强。 当少子扩散长度与衬底厚度的比值为2.5-3时,具有铝背场结构的单晶硅电池可获得最高佳的输出特性。
2020年3月27日 · 本发明涉及太阳能电池技术领域,特别涉及一种钙钛矿薄膜太阳能电池用衬底的制备。背景技术钙钛矿太阳能电池的光电转换效率从2009年的3.8％迅速跃升到23.7％,与商业化太阳能电池效率相当。廉价的原材料和简单的制备工艺,使得钙钛矿电池在过去五年受到了前所未有的关注。以柔性衬底代替
由于玻璃基底上有机电池功能层制备温度较低,因此柔性衬底上功能层制备工艺不需要做较大调整,柔性有机电池光电转换效率的发展较为快速。 但为提高柔性有机太阳电池的力学性能,包括弯曲性能、折叠性能、拉伸性能、扭曲性能等,拓宽其应用范围,需要开发新型柔性透明电极材料替代
2023年3月16日 · 面图形化蓝宝石衬底(patternedsapphiresubstrate,PSS)上生长和制备了高In组分高质量的AlGaN-InGaN/GaN MQWs-AlGaN双势垒结构的太阳能电池。相比于只生长AlGaN电
2012年11月5日 · 在N型太阳能级硅衬底上制备了背结前接触太阳能电池。 目前,已研发了四代N型高效背结前接触太阳能电池,开路电压达到620mV。此外,从机理上通过模拟研究了优化该电池结构的方案,并通过改变烧结条件和丝网印刷铝浆的质量研究了对电池的
2012年9月28日 · 4.4 锗衬底片的载流子浓度测量按GB/T4326 进行。4.5 锗衬底片的晶体完整性检验测量按GB/T 5252进行。4.6 锗衬底片的直径测量用千分尺或精确度相当的量具进行。4.7 锗衬底片的厚度和总厚度变化测量参照GB/T 6618 进行。4.8锗衬底片的主参考面长度参照GB/T
2016年3月9日 · 结果表明：晶硅衬底的厚度对电池输出特性的影响与其少子的扩散长度有关,衬底厚度的减小有利于其开路电压 的提高,存在一最高佳厚度值使其转换效率、短路电流及填充因子最高高；当少子的扩散长度远大于衬底厚度时,电 池的输出特性几乎与衬底厚度
2016年4月26日 · 通常的晶体硅太阳能电池是在厚度350～450μm的高质量硅片上制成的, 这种硅片从提拉或浇铸的硅锭上锯割而成 ... SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4或SiH4 为反应气体,在一定的保护气氛下反应生成硅原子并沉积在加热的衬底
2012年9月3日 · 摘 要： 利用晶硅电池模拟软件 PC1D 研究晶硅衬底的厚度 、少子寿命及掺杂浓度对电池输出特性的影响规律。 结果表明 ：晶硅衬底的厚度对电池输出特性的影响与其少子的
2024年3月20日 · 目前在柔性太阳能电池衬底材料中应用最高为广泛的均苯型PI 薄膜是美国杜邦公司的Kapton®系列薄膜。 ... 随后采用低温工艺沉积了CdS（厚度为0.15 μm）与透明导电ZnO膜层（厚度为2.0 μm）,所得太阳能电池的转化效率
为进一步研究电池铝背场的特性,在模拟软件PC1D中建立了n+pp+单晶硅太阳能电池的物理模型,仿真并系统地研究了单晶硅电池衬底厚度,掺杂浓度和少子寿命以及铝背场的掺杂浓度分布梯度,厚度及其平均掺杂浓度等参数跟铝背场特性之间的内在联系 .仿真结果
2018年4月8日 · 而这篇文章是科普系列的第二篇,是从宏观到微观,逐渐深入,分析（衬底为Si的）光电池内部原理。而就太阳能电池的发展时间而言,可区分为四个世代：第一名代衬底硅晶（Silicon Based）、第二代为薄膜（Thin Film）、第
2013年7月20日 · 文章就硅太阳能电池的翘曲问题展开了一系列的讨论。在理论上从形变和应力两个角度研究了硅衬底厚度和背电极铝浆厚度对电池片翘曲高度的影响,并进行仿真计算。 同时用厚度小于200Iam、尺寸为6英寸的硅太阳能电池片,进行了相关实验
GaAs基太阳能电池基本上可分为单结和多结叠层式太阳能电池两类,如图1所示。 对于单结GaAs太阳能电池,根据其生长方式的不同又可以分为LPE GaAs及MOVPEGaAs太阳能电池,衬底可选用GaAs或Ge,不过GaAs是直接带隙材料,光吸收系数大,有源层厚度
2021年1月9日 · 本文采用数值仿真方法对p-CZTS/n-Si 太阳能电池进行计算,分析限制该太 阳能电池光伏特性的因素。 针对p-CZTS/n-Si 结构存在的问题,提出采用p 型Si
2015年12月9日 · 太阳能电池外延片及其制作方法-推荐首选地,条形凹槽的宽度为0.5～2毫米,孔为圆孔,其内径为0.5～2毫米,相邻两个 ... 上述利用外延剥离技术制作太阳能电池时,牺牲层是在GaAs衬底上制作的一层连续的、厚度均匀的、且x为确定值的Al<Sub>x </Sub>Ga<Sub
2021年1月9日 · 4（CZTS）太阳能电池具有CZTS 与Si 衬底的晶格失配低的优点,但目前其转换效率仍较低。本文采用异质结 太阳能电池仿真软件Afors-het 对Si 衬底CZTS 太阳能电池进行数值计 算。对现有的p-CZTS/n-Si 太阳能电池的计算结果表明,在该电池结构中
2016年3月30日 · 电池衬底为360弘m厚的P型(100)面晶体硅, 电阻率为0．97Q·cm．背电极采用了热蒸发法分别 制备的铝和银薄膜,厚度各约为600～2000nm．n型
2022年5月27日 · 因此,降低晶圆厚度至关重要；由于表面复合速度足够低,HIT太阳能电池的VOC随着硅片厚度的减小而增加。报道了在硅异质结（SHJ）太阳能电池中使用薄晶片改善器件性能的研究；Taguchi等人实现了24.7%的高效率；Meng等人在晶圆厚度为100m
2022年6月29日 · 24.本发明太阳能电池用超薄ge单晶衬底的加工方法,具有以下有益效果： 25.1)衬底出货厚度控制在90-110微米,相比正常出货厚度140-160微米衬底显著节约了材料成本,具有很好的经济效益；26.2)衬底机械强度提高了1倍以上,进一步降低了加工过程中的破损
2024年8月2日 · 锗单晶做衬底及气相外延技术的发展大大提高太阳能电池效率。据高欢欢所著《砷化镓空间太阳电池用 4 英寸低位错锗单晶的研制》,美国 ASEC公司提出用气相外延生长技术制备 GaAs/Ge 异质结太阳能电池,用机械强度更高、成本更低的锗单晶作为衬底片。
2024年2月5日 · 晶硅太阳能电池为"三明治"结构,中间是晶圆衬底,上下分别覆盖着钝化层、掺杂接触层、导电层等,其中晶圆衬底厚度占到电池厚度的99%以上。 针对上述问题,李阳教授团队与隆基中央研究院徐希翔博士团队开展了联合技术攻关。
2005年6月1日 · 因此是一种理想的柔性衬底材料+不锈钢柔性衬底 制备的非晶硅太阳电池已被应用于战地装备以及太 阳能光分解水制氢的实验研究+?CB: 等的研究 还表明,这种结构的三结叠层太阳电池的功率重量 比可以达到或超过比功率1$$=RHS,更适合于太空