2015年3月19日 · 由于采用对称式双极硅光元件, 实际上仍为单光路。 为提高灵敏度, 可在一檄上加滤光片, 硅光电池采用2C R 6 1或2C R 8 l, 入射光线一部分通过被测溶液, 另一部分直接照射。 硅光元件的输出分别送人两相同特性的运算放大器中。
2014年4月22日 · 通过硅光电池光学和电学性质的实验研究,有助于了解用以表征光电器件性能的研究方法及其技术手段。 学习数字式多用表的使用。 了解硅光电池的基本特性。 用马吕斯定律检验硅光电池的线性响应。 用硅光电池的偏置特性设计调光电路。 1. 半导体P-N结及其偏置特性 半导体中掺入微量的的三价(五价)杂质元素,就形成了P 型(N 型)半导体。 把P型硅和N 型硅互相紧
2022年5月20日 · 硅光电池的伏安特性曲线由二个部分组成: 无偏压工作状态,光电流随负载变化很大;反偏压工作状态,光电流与偏压、负载几乎无关 ( 很大动态范围内)。 为流过 PN 结的电流,为反向饱和电流,q 为电子电荷,为玻尔兹曼常数,T 为绝对温度,U 是加在P-N 结两端电压。 对于外加正向电压,随 V 指数增长,称正向电流;当外加电压为反向时,在反向击穿电压 之内,反向饱和电流基本是
2020年11月3日 · 基于此,从实验室日常的仪器出发,搭建了一种新的可以同时对光通量和光强进行调节的测试电路,并对硅光电池不同温度下的短路电流、开路电压以及负载特性作了初步的研究和分析。1硅光电池的实验电路设计1.1实验器材及作用智能数显温控
2018年10月1日 · 基于此, 从实验室日常的仪器出发, 搭建了一种新的可以同时对光通量和光强进行调节的测试电路, 并对硅光电池不同温度下的短路电流、 开路电压以及负载特性作了初步的研究和分析。
2018年7月6日 · 由图中可见,硅光电池的伏安特性曲线由二个部分组成：反偏工作状态,光电流与偏压、负载电阻几乎无关（在很大的动态范围内）；无偏工作状态,光电二极管的光电流随负载电阻变化很大。 由图2可看到,在一定光照下,负载曲线在电流轴上的截距是短路电流,在电压轴上的截距即为开路电压。
2005年7月23日 · 1．研究硅光电池的照度（光强）特性,用特性曲线表示结果． （1）测量硅光电池的短路电流与照度间的关系； 由于硅光电池的短路电流随照度的变化太大从而给测量带来了困难,本实验采用测量 取样电阻（100 Ω）上的电压来代替此时的短路电流．
2018年6月3日 · 硅光电池的照度特性1.硅光电池的短路电流与照度关系当光照射硅光电池时,将产生一个由N区流向P区的光生电流Iph,同时由于PN结二极管的特性,存在正向二极管管电流ID。
2013年7月29日 · 热敏电阻采用NTCMF15～16或MF13～14.具体 阻值可用下列方法选定:由硅光电池生产厂家提供或 实验测得短路电流温漂系数,2CR系列一般为 0.18%oC,R7''+尺r为lMn左右,如选R7''=20Rr,则热 敏电阻温度系数在一4.77%/℃,MF15～16的温度系 数为一(3.96%～5.83
2022年6月12日 · 当硅光电池PN 结处于零偏或反偏时,若有光照,电池对光子的本征吸收和非本征吸收都产生光生载流子, 但能引起光伏效应的只能是本征吸收所激发的少数载流子。