2014年4月22日 · 硅光电池是根据光生伏特别有效应而制成的光电转换元件,它和同类元件,如硒光电池、硫 化镉光电池、砷化镓光电池、碘化铟光电池等相比,有很多优点：如光谱响应范围宽、性能
2015年4月19日 · 硅光电池对入射光的波长接受如下： 硅片接受的光谱是320-1100nm,峰值波长是850 或者是940,硅片掺杂工艺不同。 材料不同,峰值不同,还有750的。
2024年10月19日 · 理论研究表明,硅光电池的光谱响应范围在400 1100nm之间,峰值响应波长在800-900nm之间。 光谱响应特性对于硅光电池的应用非常重要,例如
2022年12月31日 · 光电池的工作原理是基于光生伏特别有效应的,硅光电池是在N型硅片中掺入P型杂质形成一个大面积的PN结。 A . 正确B .
2005年4月4日 · 硅光电池是一种P—N结的单结光电池,当光照射到P—N结时,由于光激发的光生载流子的迁移,使P—N结两端产生了光生电动势,如果他与外电路中的负载接通,则负载电路中将由光电流产生。
2005年7月23日 · 硅光电池是属于一种有PN 结的单结光电池．它由半导体硅中渗入一定的微量杂质而 制成．当光照射在PN 结上时,由光子所产生的电子与空穴将分别向P 区和N 区集结,使
2018年5月23日 · 硅光电池的光谱响应范围是400～1100nm,在使用时必须注意与入射光的波长相匹配, 以获得较高的光电子输出效率。 实验中经常通过测试硅光电池的相对灵敏度表征其光谱响应特性。
2018年7月6日 · 硅光电池的光谱响应实验中最高大的灵敏度对应的波长范围大概为1000nm左右,而实验中最高大的波长为670.7nm,故无法测得相对灵敏度。 思考题实验中所用光源的电压发生变化,表二所提供的参数是否发生变化？ 答：实验中所用的光实际上是二极管直接发出的光打到荧光粉上,然后发出的荧光,相对光强的分布,应该取决于荧光粉的性质,和所加的电压没有关系。
当光照射硅光电池时,将产生一个由 N 区流向 P 区的光生电流I ph,同时由于 PN 结二 极管的特性,存在正向二极管管电流I D。 此电流方向从 P 区到 N 区,与光生电流相反,因
2010年4月2日 · 一般用相对响应表示,实验中硅光电池的响应范围为400~1100nm,峰值波长为800~900nm,由于实验仪器所提供的波长范围为400~650nm,因此,实验所测出的光谱响应曲线呈上升趋势,如图2-9所示硅光电池频率特性曲线。