2018年7月6日 · 由图中可见,硅光电池的伏安特性曲线由二个部分组成：反偏工作状态,光电流与偏压、负载电阻几乎无关（在很大的动态范围内）；无偏工作状态,光电二极管的光电流随负载电阻变化很大。
2022年5月20日 · 硅光电池负载上 的电压降 U 和通过 的电流之积称为硅光电池的输出功率 P。 输出功率达到最高大值 时的负载电阻 称为最高佳负载电阻,此时能量转换效率最高高,且 随光强而变化。
2018年6月3日 · 硅光电池的短路电流与照度关系 当光照射硅光电池时,将产生一个由 N 区流向 P 区的光生电流I ph,同时由于 PN 结二极管的特性,存在正向二极管管电流I D 。
2018年7月6日 · 硅光电池的灵敏度K为为硅光电池测得的光强,可用硅光电池的输出电压或电流表示。 硅光电池的相对灵敏度为为不同波长对应的最高大值。 实验中,光源的能量主要集中在红外区域,本实验所用的偏振片对红外不起偏,因此要选择合适的滤色片滤掉红外光,才能
2018年1月24日 · 以硅材料为基体的硅光电池,可以使用单晶硅、多晶硅、非晶硅来制造。单晶硅光电池是目前应用最高广的一种,它有2CR和2DR两种类型,其中2CR型硅光电池采用N型单晶硅制造,2DR型硅光电池刚采用P型单晶硅制造。 硅光电池的工作原理是光生伏特
2022年6月12日 · 硅光电池负载上的电压降U 和通过负载的电流I 之积称为硅光电池的输出功率P。 在一定的照度下,不 同负载有不同的输出功率,输出功率达到最高大值 P m 时的负载电阻 R m 称为最高佳负载电阻。
2012年5月1日 · 硅光电池的内阻大约为多少最高简单的方法就是把硅光电池放在光照和黑暗的情况下用万用表测量正量：光照强度越大,内阻越大；反之。 面积4平方毫米的硅光电池（峰值波长880nm） 无光照下负量电阻大概在200千欧左右 正量
2013年6月30日 · 用它制成的元器件称之为硅光电池。光伏效应最高重大的应用 是可以将阳光直接转换成电能,是当今世界众多国家努力研 究和开拓应用的课题*。 从光伏效应的机理可知（见附录）,硅光电池输出的 电流IL 是光生电流IP 和在
硅光电池是一种直接把光能转换成电能的半导体器件。 它的结构很简单,核心部分是一个大面积的PN 结,把一只透明玻璃外壳的点接触型二极管与一块微安表接成闭合回路,当二极管的管芯(PN结)受到光照时,你就会看到微安表的表针发生偏转,显示出回路里有
2019年9月2日 · 硅光电池中,光电流与负载电阻之间有什么关系?当电路两端电压不变的情况下,光电流与负载电阻成反比,即电路中负载电阻越大,光电流越小。 硅光电池被设计用于把入射到它表面的光能转化为电能,因此可用作光电探测器